Фотоиндуцированная проводимость и порог разрушения органоацетиленидов меди под действием неодимового лазера

Исследовалась индуцированная неодимовым лазером фотопроводимость и пороги разрушения металлоорганических полупроводников – органоацетиленидов меди. Показано, что порог разрушения монотонно увеличивается с увеличением ширины запрещенной зоны, а индуцированная фотопроводимость с локальных уровней в запрещенной зоне фенилацетиленида меди начинает наблюдаться при энергиях, на три порядка ниже порога разрушения.