В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201

Лазеры и физические процессы в них

Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP

В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Приведены характеристики инжекционных InGaAsP/InP-лазеров с длинами волн в районе 1,3 мкм с минимальным пороговым током 4 мА и максимальной рабочей температурой непрерывной генерации 120°C, что соответствует наивысшим достижениям для лазеров этого типа и спектрального диапазона.

УДК: 621.378.826.038.854.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Pk

Поступила в редакцию: 03.06.1987