RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 11, страницы 1012–1016 (Mi qe1089)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Эмиссионная спектроскопия углеродной плазмы при лазерной абляции графита. 1. Абляция излучением XeCl-лазера

А. В. Демьяненко, В. С. Летохов, А. А. Пурецкиий, Е. А. Рябов

Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Москва

Аннотация: Методами эмиссионной спектроскопии с временным разрешением исследовано свечение факела углеродной плазмы, возникающей при абляции графита в вакууме излучением XeCl-лазера. Показано, что в процессе свечения плазмы ее спектр резко изменяется, причем при плотностях энергии лазерного излучения Φ = 4 — 5 Дж/см2 основной вклад в свечение дают ионы С+ и радикалы С2. Кинетика свечения зависит от условий возбуждения, а также различна для разных участков плазменного факела. Разработан метод компьютерного моделирования спектров C2, позволяющий по измеренным спектрам люминесценции радикалов C2 определять их колебательные и вращательные температуры (Trot и Tvib) в плазме, а также эволюцию этих температур во времени. Обнаружено, что за время свечения характерные температуры радикалов С2 меняются в широких пределах: Tvib = 2500 — 12000 K, Trot = 1500 — 10000 K.

PACS: 52.70.Kz, 52.50.Jm, 52.25.Kn

Поступила в редакцию: 22.07.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:11, 983–987

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024