В. С. Днепровский, Ш. М. Ок, “Роль поглощения на неравновесных носителях при определении коэффициента двухфотонного поглощения в кристаллах CdSe и GaAs”, Квантовая электроника, 3:3 (1976), 559

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Роль поглощения на неравновесных носителях при определении коэффициента двухфотонного поглощения в кристаллах CdSe и GaAs

В. С. Днепровский, Ш. М. Ок

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Методом зондирования измерен коэффициент поглощения β_n на неравновесных (двухфотонно возбужденных) носителях в кристаллах CdSe (β_n = 0,04 см/МВт) и GaAs (β_n = 0,06 см/МВт) при возбуждении Nd : YAG-лазером.

УДК: 535.341

PACS: 72.40.+w

Поступила в редакцию: 23.07.1975