RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 12, страницы 2389–2395 (Mi qe11010)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Основные механизмы образования инверсии на 3p–3s-переходах неона

А. Ю. Александров, В. А. Долгих, О. М. Керимов, Ю. Ф. Мызников, И. Г. Рудой, А. М. Сорока

Научно-исследовательский центр по технологических лазерам АН СССР, Москва

Аннотация: В экспериментах по люминесценции и лазерной генерации исследована кинетика инверсной населенности в лазерах высокого давления на 3p–3s-nepexoдax неона при накачке электронным пучком. В широком диапазоне изменения удельной мощности возбуждения установлены и качественно объяснены оптимальные составы активной среды и выяснены особенности и преимущества использования различных тушащих компонентов.

УДК: 535.678

PACS: 33.50.Hv, 33.80.Be, 42.50.-p, 42.55.Ah, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 15.04.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:12, 1521–1524

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024