Лазер с накачкой электронным пучком на гетероструктуре ZnSe – ZnS

Сообщается о создании гетероструктур ZnSe – GaAs, CdSe – CdS и ZnSe – ZnS, на которых реализован режим генерации оптического излучения при возбуждении электронным пучком. Наилучшие результаты – порог генерации 6 А/см², мощность 50 Вт при энергии E₀ = 50 кэВ, КПД 6% – получены на гетероструктуре ZnSe – ZnS.