Аннотация:
Осуществлен вывод излучения ПКГ на кристалле GaAs с электронным возбуждением при Т = 77 K через дифракционную решетку, нанесенную на поверхность активного слоя образца. Полученная диаграмма направленности содержит два лепестка с полушириной 0,5°, отклоненных от нормали на 1,6°.