RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 12, страницы 1137–1144 (Mi qe1106)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Лазерная активация и металлизация диэлектриков

Г. А. Шафеев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва, Российская Федерация

Аннотация: Рассмотрена двухэтапная металлизация поверхности диэлектриков. Лазерная абляция поверхности ряда диэлектриков (этап активации) приводит к возникновению на облучаемой поверхности каталитических центров, способных восстанавливать металлы (этап осаждения) из специальных растворов. В процессе автокаталитического осаждения металл распространяется на всю аблированную поверхность. Приведен обзор экспериментальных данных о лазерной активации Al2O3, SiC, алмаза, ZrO2 и других диэлектриков. Активация поверхности наблюдается в широком диапазоне длин волн лазерного излучения и сохраняется в течение длительного времени, позволяя осуществлять осаждение ряда металлов (Cu, Ni, Pt, Pd и др.) с пространственным разрешением порядка нескольких микрометров. Рассмотрена модель процесса, в соответствии с которой лазерная активация обусловлена модификацией запрещенной зоны диэлектрика в результате абляции и появлением ненулевой плотности электронных состояний вблизи потенциала восстановления металла. В свою очередь это может быть связано с формированием в диэлектрике точечных дефектов (например, F-центров в случае Al2O3 и ZrO2) либо с изгибом зон в поле механических напряжений, оставшихся в материале после абляции. Данные по активации диэлектриков путем механической индентации находятся в качественном согласии с предложенной моделью.

PACS: 42.62.Cf, 81.15.Fg, 61.80.Ba

Поступила в редакцию: 20.05.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:12, 1104–1110

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024