RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 10, страницы 2291–2293 (Mi qe11061)

Краткие сообщения

О влиянии формы импульса излучения накачки на уровень запасенной энергии в усилителях на неодимовом стекле

В. Н. Алексеев, Е. Г. Бордачев, С. А. Вицинский, В. И. Кулаков, В. Н. Рыбин, А. Д. Стариков


Аннотация: Методом усиления слабого сигнала моноимпульсного лазера исследовано влияние формы импульса излучения ламп накачки на уровень инверсной населенности в усилителе на неодимовом стекле марки ГЛС 1. Показано, что использование несимметричного импульса с преимущественно нарастающей во времени интенсивностью является энергетически более выгодным (на 15–25%), чем накачка колоколообразными импульсами. Приведены схемы формирования несимметричных импульсов излучения.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 14.02.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:10, 1291–1292


© МИАН, 2024