RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 4, страницы 812–814 (Mi qe11111)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Краткие сообщения

Высокоэффективное преобразование инфракрасного излучения в видимую область на кристале LiNbO3

Э. А. Арутюнян, В. С. Мкртчян

Институт физических исследований АН Арм. ССР

Аннотация: Проведено исследование проебразования инфракрасного излучения в видимую область на кристалле LiNbO3 при смешении его с излучением импульсного рубинового лазера. При использовании взаимодействия типа оое в кристалле для различных углов фазового согласования осуществлено преобразование ИК-излучения в диапазоне длин волн 1,6…3 мкм. Получена количественная зависимость мощности преобразованного излучения от мощности лазера накачки. Для 90°-ного синхронизма на кристалле длиной 2 см при значении плотности мощности накачки 5 МВт/см2 мощность преобразованного излучения достигает насыщения.

УДК: 621.317.794

PACS: 42.80.Q

Поступила в редакцию: 16.08.1974
Исправленный вариант: 07.01.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:4, 450–451


© МИАН, 2024