RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 5, страницы 1055–1058 (Mi qe11197)

Краткие сообщения

Эффект насыщения при резонансных переходах между мультиплетными уровнями

Б. А. Зон, Б. Г. Кацнельсон, В. Я. Купершмидт

Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола

Аннотация: Показано, что зависимость вероятности вынужденного поглощения от интенсивности внешнего поля не является монотонной, если резонируют не два изолированных уровня, а две группы близко расположенных уровней. Рассмотрены примеры резонансного взаимодействия дублетных атомных уровней.

УДК: 539.184.2

PACS: 42.65.

Поступила в редакцию: 10.10.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:5, 575–577


© МИАН, 2024