RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 5, страницы 1058–1062 (Mi qe11200)

Краткие сообщения

Влияние несовершенств кристаллического строения арсенида галлия на параметры лазеров с электронным возбуждением

О. Н. Григорьев, И. В. Гриднева, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Ю. В. Мильман, С. И. Чугунова

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений

Аннотация: Исследовались параметры лазерного излучения при электронном возбуждении монокристаллов арсенида галлия, полученных различными способами. Установлена корреляция между излучательными характеристиками лазеров и степенью структурного совершенства кристаллов, определяемого рентгенографическими методами. Высокая эффективность и однородность лазерного излучения образцов, полученных методов направленной кристаллизации, рассматривается как результат значительного улучшения совершенства их кристаллического строения.

УДК: 621.378.35

PACS: 42.60.J

Поступила в редакцию: 24.10.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:5, 577–579


© МИАН, 2024