RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 5, страницы 981–985 (Mi qe11221)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Расчет коэффициента усиления на переходах гелиеподобных ионов с λ < 50 нм

А. В. Виноградов, И. Ю. Скобелев, Е. А. Юков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Вычислен коэффициент усиления далекого УФ излучения в плазме, содержащей многозарядные гелиеподобные ионы. Населенности ионных уровней определялись из решения системы уравнений баланса, включающей процессы радиационного распада и электрон-ионных соударений, для двух случаев: оптически тонкой и оптически толстой плазмы. Показано, что в стационарных условиях плотность инверсии на интеркомбинационных переходах достигает 1013–1015 см–3. Использование вынужденного комбинационного рассеяния оптического излучения на такой плазме позволит получить однопроходную генерацию в далекой УФ области (λ ~ 19–40 нм) при длине активной среды ~0,1–1 см.

УДК: 621.378.9:533.9.02

PACS: 52.25.Ps

Поступила в редакцию: 17.07.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:5, 525–527


© МИАН, 2024