А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, “Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 253

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Впервые экспериментально обнаружено уменьшение расходимости излучения InGaAsP-гетеролазеров при увеличении температуры. На основе модели волновода с изменяющимися параметрами сделан расчет, который позволяет объяснить температурное уменьшение ширины диаграммы направленности и рост порогового тока. Результаты работы свидетельствуют в пользу волноводного механизма для аномального температурного роста порогового тока длинноволновых InGaAsP-гетеролазеров.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 24.04.1987