RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 11, страницы 2383–2395 (Mi qe11262)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Влияние параметрических эффектов на процесс вынужденного рассеяния немонохроматической накачки

И. Г. Зубарев, С. И. Михайлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Показано, что при превышении интенсивности широкополосной накачки над критической происходит захват фаз взаимодействующих пучков. Это позволяет объяснить воспроизведение временных флуктуаций импульса накачки в рассеянном излучении при произвольной длине активной области, а также экспериментально наблюдаемое низкое значение порога генерации при ВКР в резонаторе с немонохроматическим возбуждающим излучением.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.65.Cg, 42.55.Mv

Поступила в редакцию: 02.11.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:11, 1338–1344


© МИАН, 2024