Оптическое детектирование вблизи края полосы поглощения

На примере полупроводников CdS и CdSe исследован эффект оптического детектирования для частот падающего излучения, близких к собственным частотам нелинейных кристаллов. На основании экспериментальных результатов вычислены компоненты тензора нелинейной восприимчивости Χ⁰₃₃₃ и Χ⁰₃₁₁ для CdS и CdSe на частотах рубинового и неодимого лазеров. Для CdSe получены аномально большие восприимчивости. Впервые получено и исследовано явление насыщения оптического детектирования. Сравнение с экспериментальными данными проведенной ранее работы дает основание полагать, что насыщение эффекта оптического детектирования имеет ту же природу, что и явление просветления среды.