О возможности создания элементов оптической памяти на основе МДП-структур из GaAs

Исследована возможность создания оптических элементов памяти на GaAs МДП-структурах. Рассмотрен способ хранения информации в МДП-структурах, в основе которого лежит не захват заряда состояниями диэлектрика, а конечное время релаксации неравновесной области пространственного заряда. Приведены спектральные и временные зависимости контрастности структуры. Исследованные структуры обладали временем хранения информации ~ 10 мс. На основании экспериментальных данных сделан вывод о возможности создания оптических оперативно запоминающих устройств на МДП-структурах из GaAs.