Условия инверсной населенности в поверхностно-барьерных структурах

Для случая контакта металла с полупроводником p-типа обсуждаются требования к работе выхода металла, характеристикам поверхностных состояний и уровню легирования полупроводника для достижения инверсной населенности в МП-структуре при снятии потенциального барьера. Анализируется общее условие получения усиления света для идеального контакта Шоттки и в случае высокой плотности поверхностных состояний. Проведены численные оценки для ряда полупроводников p- и n-типов.