RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 12, страницы 2533–2537 (Mi qe11380)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Образование центров окраски в кристаллах ортоалюмината иттрия

Н. С. Ковалева, И. В. Мочалов


Аннотация: Рассмотрены спектры поглощения центров окраски, возникающих в кристаллах YAlO3 под действием света ксеноновой лампы накачки, гамма-излучения и термообработки в различных атмосферах. Найдено, что природа центров окраски определяется условиями выращивания и не зависит от ионов неодима. Кристаллы YAlO3, выращенные в вакууме, практически не окрашиваются. В кристаллах YAlO3, выращенных в аргоне, появляются одни и те же центры окраски после воздействия гамма- и УФ излучения и окислительной термообработки. Соотношение концентраций центров различной структуры и их устойчивость к фоторазрушению зависит от вида воздействия.

УДК: 548.4:535.34

PACS: 61.70.Dx, 78.50.Ec

Поступила в редакцию: 25.11.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:12, 1427–1429


© МИАН, 2024