Аннотация:
Сообщаются результаты исследования пороговых и пространственных характеристик излучения полупроводниковых лазеров с распределенной обратной связью (РОС), работающих в высоких четных порядках взаимодействия при оптической и электронной накачках. Показана возможность создания РОС-лазеров с низкими порогами генерации, работающих в высоких порядках взаимодействия.