RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1403–1408 (Mi qe11418)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Применение перестраиваемого по частоте инжекционного лазера на GaAs для оптико-акустического детектирования поглощения молекул фтористого водорода

В. Б. Анзинab, М. В. Глушковab, В. П. Жаровab, Ю. В. Косичкинab, В. О. Шайдуровab, А. М. Широковab

a Институт спектроскопии АН СССР
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР

Аннотация: Рассматривается применение перестраиваемого по частоте импульсного инжекционного лазера на GaAs для измерения слабых полос поглощения молекул. Перестройка по частоте осуществляется изменением величины гидростатического давления и тока. Чувствительность примененного для регистрации поглощения оптико-акустического детектора равна 2,5·10–12 Дж·см–1, что позволяет при энергии в импульсе 10–8–10–6 Дж регистрировать поглощение в газах на уровне 10–3–10–5 см–1. Приводятся результаты экспериментальных измерений второго обертона молекул HF.

УДК: 621.378.9:621.317.382

PACS: 42.60.Q, 32.20.D

Поступила в редакцию: 22.11.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:7, 754–756


© МИАН, 2024