Квантовая электроника,
1976, том 3, номер 5,страницы 1143–1145(Mi qe11439)
Краткие сообщения
О взаимосвязи параметров экзоэмиссии с лучевой стойкостью элементов ОКГ
В. С. Кортов, Д. И. Перлов, В. П. Шифрин
Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова, Свердловск
Аннотация:
В работе приведены результаты измерения термостимулированной экзоэлектронной эмиссии с поверхности сапфировых торцов элементов ОКГ до и после воздействия на них лазерного излучения. Показано, что лазерное излучение не генерирует на поверхности новых типов дефектов, а приводит к увеличению концентрации уже имеющихся дефектов. Выведены аналитические соотношения, связывающие интенсивность эмиссии с пороговой лучевой прочностью оптических элементов.
УДК:
537.533:666.22
PACS:42.60.-v, 79.75.+g
Поступила в редакцию: 14.03.1975 Исправленный вариант: 15.11.1975