RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 5, страницы 1143–1145 (Mi qe11439)

Краткие сообщения

О взаимосвязи параметров экзоэмиссии с лучевой стойкостью элементов ОКГ

В. С. Кортов, Д. И. Перлов, В. П. Шифрин

Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова, Свердловск

Аннотация: В работе приведены результаты измерения термостимулированной экзоэлектронной эмиссии с поверхности сапфировых торцов элементов ОКГ до и после воздействия на них лазерного излучения. Показано, что лазерное излучение не генерирует на поверхности новых типов дефектов, а приводит к увеличению концентрации уже имеющихся дефектов. Выведены аналитические соотношения, связывающие интенсивность эмиссии с пороговой лучевой прочностью оптических элементов.

УДК: 537.533:666.22

PACS: 42.60.-v, 79.75.+g

Поступила в редакцию: 14.03.1975
Исправленный вариант: 15.11.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:5, 617–619


© МИАН, 2024