aЦентральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин bФизический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
Аннотация:
С помощью сканирующего интерферометра Майкельсона с линейной и нелинейной регистрацией изучена пикосекундная структура излучения импульсных и непрерывных инжекционных лазеров на GaAs. Получены характеристические времена: время когерентности, время пролета через резонатор, минимальная длительность ультракороткого импульса (3·10–13 с). Наблюдался режим генерации моноимпульса с периодом повторения около 2·10–11 с.