RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 2, страницы 283–285 (Mi qe11467)

Лазеры

Ресурсные характеристики гетеролазеров коротковолнового диапазона на основе гетероструктур GalnAsP/lnP

Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев

Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе

Аннотация: Проведены ресурсные испытания полосковых гетеролазеров и .гетеролазеров с широким контактом на основе гетероструктур GalnAsP/lnP, работающих в спектральном диапазоне 1,06 – 1,1 мкм при комнатной температуре. В спонтанном режиме полосковые диоды испытывались при температурах теплоотвода 20, 40, 60 и 70 °С. Энергия активации деградационного процесса оценена равной 0,65 эВ. В непрерывном режиме полосковые гетеролазеры испытывались в течение 420 ч при 50 °С, что эквивалентно наработке 4,6 · 103 ч при комнатной температуре. Импульсные гетеролазеры испытывались при 80 °С в течение 400 – 600 ч. Эквивалентное время наработки при комнатной температуре для них равно (3,2 – 4,8) · 104 ч. Прогноз ресурса работы излученных гетероструктур составляет (5 – 9,4) · 104 и 3 · 104 ч для импульсных и непрерывных гетеролазеров соответственно.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.70.Hj, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 17.06.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:2, 178–180

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024