RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 3, страницы 544–550 (Mi qe11516)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Взаимодействие лазерного излучения с веществом

Теоретический анализ условий теплового взрыва и фотоионизационная неустойчивость прозрачных диэлектриков с поглощающими включениями

М. Ф. Колдунов, А. А. Маненков, И. Л. Покотило

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Анализируются условия теплового взрыва (ТВ) поглощающего включения под действием лазерного излучения. Введено понятие пороговой функции, экстремумы которой определяют пороговые температуру и интенсивность ТВ включения. Обсуждается двухпороговая модель разрушения прозрачного диэлектрика. Показано, что фотоионизация матрицы диэлектрика тепловым излучением нагретого включения приводит к ТВ в его окрестности. Определено время развития ТВ, и обсуждается экспериментальный метод его определения. Приводятся численные оценки пороговой интенсивности фотоионизационного ТВ и времени его развития.

УДК: 621.373.826

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Ms

Поступила в редакцию: 23.01.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:3, 345–349

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024