RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 3, страницы 635–637 (Mi qe11535)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Влияние поглощающих центров на кинетику накопления лазерных повреждений в кристаллах йодата и ниобата лития

Т. И. Богданова, Ю. А. Демочко, Б. И. Захаркин, В. Н. Николаев


Аннотация: Экспериментально исследована стойкость кристаллов α-LiIO3 и LiNbO3 с различной степенью дефектности к многократному воздействию излучения (МВИ) лазера на длинах волн 1,06 и 0,53 мкм. Показано, что рост дефектности приводит к снижению лазерной стойкости кристаллов LiNbO3 во всем диапазоне плотностей энергии лазерного излучения W, а для α-LiIO3 имеет место тенденция к «упрочнению» (увеличению лазерной стойкости), которое проявляется более заметно на λ = 1,06, чем на λ = 0,53 мкм. Полученные результаты показывают, что лазерное разрушение при МВИ, как и при однократном воздействии, связано с поглощающими центрами.

УДК: 537.529

PACS: 61.80.Ba, 61.82.-d

Поступила в редакцию: 06.07.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:3, 407–409

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024