RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 2, страницы 187–189 (Mi qe1155)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Усилительные свойства кристаллов LiF со стабилизированными $F^+_2$-центрами окраски

Т. Т. Басиевa, И. В. Ермаковa, В. А. Конюшкинa, К. К. Пуховa, М. Гласбикb

a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Laboratory for Physical Chemistry, University of Amsterdam, The Netherlands

Аннотация: Исследованы усилительные свойства кристаллов LiF со стабилизированными $F^+_2$-центрами окраски с точки зрения их возможного использования в качестве усилителей слабых световых импульсов ИК излучения. В однопроходной схеме при накачке излучением второй гармоники импульсного Nd:YAG-лазера ($\lambda$ = 532 нм) достигнуто двадцатикратное оптическое усиление широкополосного наносекундного излучения ИК лазерного диода ($\lambda$ = 900 нм).

PACS: 42.60.Da, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 16.10.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:2, 179–181

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024