RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 9, страницы 2053–2055 (Mi qe11557)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Краткие сообщения

Влияние просветления на режим развитого испарения металлов под действием оптического излучения

Р. В. Карапетян, А. А. Самохин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР

Аннотация: Показано, что наличие температурного максимума внутри перегретого слоя жидкого металла накладывает существенные ограничения на положение и размер возможной области просветления, где коэффициент поглощения излучения α предполагается малым. Допустимая толщина просветленного слоя в стационарном режиме оказывается значительно меньше величины α–1 в этом слое. В то же время оптическая толщина поверхностного слоя, сохраняющего металлические свойства, не является малой, т. е. возникновение просветления не может, вообще говоря, объяснить изменение коэффициента отражения облучаемой мишени в стационарном режиме развитого испарения.

PACS: 78.20.Ci, 61.80.Ba, 61.82.Bg, 64.70.Hz

Поступила в редакцию: 22.02.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 4:9, 1141–1142


© МИАН, 2024