А. А. Каминский, А. В. Буташин, С. Н. Багаев, Г. Й. Эйхлер, Ю. Финдайзен, У. Таубер, Б. Лиу, “Непрерывная трехмикронная генерация на новом лазерном кристалле BaLu2F8:Er3+ с полупроводниковой лазерной накачкой”, Квантовая электроника, 25:2 (1998), 99

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма в редакцию

Непрерывная трехмикронная генерация на новом лазерном кристалле BaLu₂F₈:Er³⁺ с полупроводниковой лазерной накачкой

А. А. Каминский^a, А. В. Буташин^a, С. Н. Багаев^b, Г. Й. Эйхлер^c, Ю. Финдайзен^c, У. Таубер^c, Б. Лиу^c

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
^c Оптический институт Берлинского технического университета, Германия

Аннотация: Разработан новый лазер на основе ромбического кристалла BaLu₂F₈:Er³⁺, непрерывно генерирующий излучение с λ = 3 мкм при 300 К с полупроводниковой (InGaAs) лазерной накачкой.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 30.10.1997