RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1558–1561 (Mi qe11574)

Краткие сообщения

Модуляция излучения инжекционных гетеролазеров с помощью диода Ганна

А. С. Логгинов, В. Е. Соловьев

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Осуществлена модуляция излучения инжекционных лазеров с двухсторонней гетероструктурой с помощью диода Ганна на частоте около 1 ГГц. Проведен анализ работы этой схемы. Показано, что один диод Ганна может модулировать несколько десятков инжекционных лазеров. Излучаемая мощность и КПД увеличиваются с увеличением числа лазеров, причем мощность растет быстрее, чем количество лазеров.

УДК: 621.376.223

PACS: 42.60.L, 42.80.K

Поступила в редакцию: 08.01.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:7, 842–843


© МИАН, 2024