RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 2, страницы 151–154 (Mi qe1158)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Релаксационные колебания излучения двухмикронного гольмиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho

А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Получены и проанализированы аналитические выражения для параметров релаксационных колебаний непрерывного двухмикронного лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho и проведено их количественное сравнение с аналогичными параметрами двухмикронного лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm. Установлены существенные различия в декрементах затухания. Проведено сравнение экспериментальных и теоретических результатов. Дано объяснение различной динамики генерации лазеров на ионах Ho3+ и Tm3+.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Rn

Поступила в редакцию: 10.10.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:2, 143–146

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024