RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 7, страницы 1381–1393 (Mi qe11645)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)

Л. М. Долгиновab, П. Г. Елисеевab, М. Г. Мильвидскийab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва

Аннотация: Полупроводниковые твердые растворы широко используются в лазерах благодаря возможности путем изменения их химического состава непрерывно перекрывать спектральный диапазон 0,32–32 мкм. В последнее время в числе лазерных материалов появились четырехкомпонентные составы, такие как AlGaPAs, GalnPAs, GaAlAsSb и др. Интерес к ним обусловлен необходимостью подбора пар полупроводниковых материалов с заданной различной зонной структурой при совпадении периодов решетки («изопериодических» пар) для гетероструктур. Предварительный расчет некоторых важных параметров многокомпонентных составов может быть сделан на основе интерполяционных формул. Применение в гетеролазерах многокомпонентных твердых растворов позволило улучшить пороговые характеристики инжекционных лазеров, например, получить генерацию при комнатной температуре на длинах волн 1,06 и 1,78 мкм.

УДК: 621.315.592+621.378.35

PACS: 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 08.12.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:7, 747–753


© МИАН, 2024