А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин, “О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1609

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин

Физический институт им. П. Н. Лебедева, Москва

УДК: 539.293:537.226.2+621.378.35

PACS: 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 26.01.1976