Аннотация:
Теоретически и экспериментально исследована зависимость нелинейной восприимчивости и коэффициентов линейного и нелинейного поглощения InAs от температуры в диапазоне 300 — 500 К и на основании этих данных рассчитана температурная зависимость эффективности четырехволнового отражения. Показано, что при толщинах образца 0.2 — 0.3 см ОВФ-зеркало на основе InAs способно работать с высокой эффективностью отражения (свыше 100%) при нагреве кристалла до ~10 К. При толщинах образца 0.05 — 0.1 см термостабильный режим отражения с эффективностью 30 — 50% возможен в диапазоне температур 300 — 500 К. Экспериментально реализовано ОВФ-зеркало с эффективностью отражения более 200% при частоте повторения импульсов до 12.5 Гц и полном числе импульсов до 12. Сделан вывод о достижимости в данной схеме ОВФ-зеркала частот повторения импульсов до ~100 Гц и выше.