А. П. Богатов, Х.-Ю. Бахерт, П. Г. Елисеев, А. Клер, М. А. Манько, “Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 3:8 (1976), 1819

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором

А. П. Богатов^ab, Х.-Ю. Бахерт^ab, П. Г. Елисеев^ab, А. Клер^ab, М. А. Манько^ab

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
^b Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин

Аннотация: Сравниваются излучательные характеристики инжекционных лазеров на основе односторонней гетероструктуры в системе GaAs–Ga_xA_1–xAs, работающих по схеме с внешним селективным и населективным резонаторами. Показано, что спектральная селекция может быть осуществлена без потерь мощности накачки при увеличении спектральной плотности излучения в 20–50 раз; ширина спектра излучения в схеме с неселективным внешним резонатором в широком интервале уровня накачки остается постоянной.

УДК: 534.42:621.378.325

PACS: 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 27.01.1976