RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 9, страницы 1941–1947 (Mi qe11838)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Отражение и излучение H и E-волн на гофрированном участке диффузионного волновода

А. М. Прохоров, А. А. Спихальский, В. А. Сычугов, Г. П. Шипуло

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Теоретически рассмотрен вопрос об отражении, излучении и преобразовании H- и E-волн на гофрированном участке тонкопленочного и диффузионного волноводов с учетом первого и второго порядков дифракции. Проведен численный анализ полученных формул для случаев отражения и излучения в гофрированном диффузионном волноводе с гауссовым распределением показателя преломления. Получено, что коэффициент отражения для E-волн может быть больше коэффициента отражения для H-волн при малой разнице показателей преломления сред. Установлено, что максимальный коэффициент отражения отличается от единицы, если отражение происходит с изменением индекса моды.

УДК: 621.378.33+535.89

PACS: 84.40.Sr

Поступила в редакцию: 23.01.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:9, 1058–1061


© МИАН, 2024