RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 11, страницы 2399–2406 (Mi qe11868)

Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием

Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, Л. В. Лебедева, С. С. Стрельченко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР

Аннотация: Исследовались компенсированные образцы арсенида галлия с двойным легированием: донорами (Те или Sn) и акцепторами (Zn). Показано, что при этом значительно снижается пороговая плотность тока и рабочее напряжение в лазерах с электронным возбуждением. Наименьшие значения порога генерации составляли 0,1 А/см2 при температуре T ≈ 85 K и 1,5 А/см2 при T ≈ 300 K. Максимальная эффективность достигала 30% при T ≈ 85 K и 21% при T ≈ 300 K. Благодаря созданию волноводной структуры резонатора эти значения jп и к. п. д. не меняются при уменьшении энергии электронов от 50 до ~25 кэВ. При дальнейшем уменьшении энергии электронов до 9 кэВ пороговая плотность тока возрастает до 1,5 А/см 2 (при T ≈ 85 K).

УДК: 621.378.329

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 03.06.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 4:11, 1332–1336


© МИАН, 2025