RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 11, страницы 2411–2416 (Mi qe11870)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Инверсная населенность уровней многозарядных ионов

Э. Я. Кононов, К. Н. Кошелев

Институт спектроскопии АН СССР

Аннотация: Исследуется возможность создания источника лазерного излучения в далеком вакуумном ультрафиолете при использовании многозарядной распадающейся плазмы. Показано, что плазма, содержащая ионы с низкоэнергетичным резонансным состоянием (ΔE~kTe), может эффективно охлаждаться за счет линейчатого излучения. В качестве примера исследована населенность возбужденных состояний в Li-подобном ионе Аl XI. Показано, что в результате охлаждения и разлета плазмы для перехода 4→3 (λ ~150 Å) возникает инверсная населенность с коэффициентом усиления от 0,1 до 1 см–1.

УДК: 533.9

PACS: 52.38.-r, 52.25.Os, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 06.06.1974


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 4:11, 1340–1343


© МИАН, 2024