Аннотация:
Проанализировано условие самовозбуждения лазера, рабочей средой в котором является «квантовая точка», а резонатором служит мода шепчущей галереи диэлектрического микрошара. Отмечено, что взаимодействие квантовой точки с ансамблем вырожденных или почти вырожденных мод увеличивает коэффициент возбуждения лазера. Вычислена зависимость эффективного объема моды шепчущей галереи от индекса моды. Показано, что максимум поля в моде шепчущей галереи Е-типа лежит на поверхности шара, в то время как в моде Н-типа он сдвинут по радиусу в глубь шара. Расчеты позволяют надеяться на создание микролазера даже на основе одиночной квантовой точки.