Краткие сообщения

Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия

H. И. Буланьков, В. Д. Журавов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

УДК: 621.382

PACS: 85.30.Fg, 85.20.Vq

Поступила в редакцию: 18.03.1976

 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:9, 1137–1139