Саморазрушение лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой

Исследовались процессы катастрофической деградации лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой, работающих при температурах 80 и 300 K. Значение критической плотности световой мощности полупроводникового резонатора, приводящее к его разрушению, в зависимости от температуры, оптической однородности и совершенства обработки поверхности кристалла менялось от 2 до 15 мВт/см². Обсуждаются механизмы разрушения кристаллов арсенида галлия под действием собственного лазерного излучения.