RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 10, страницы 2101–2126 (Mi qe11902)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Оптически индуцированное изменение показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах и его использование для создания обратимой голографической памяти (обзор)

В. В. Воронов, Ю. С. Кузьминов, В. В. Осико

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены механизмы образования индуцированного светом изменения показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах, в основу которых положены модели Чена, Джонстона, Амодея и Гласса, показаны их различие и сходство, приведены соотношения, связывающие изменения показателя преломления Δn с плотностью мощности излучения и с другими феноменологическими параметрами, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными. Рассмотрены методические вопросы измерения Δn, влияния на образование Δn легирующих добавок, термической и электрической обработок кристалла.

УДК: 772.9(047):537.226+535.215

PACS: 78.20.Dj, 42.40.Kw

Поступила в редакцию: 15.07.1975
Исправленный вариант: 02.04.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:10, 1143–1157


© МИАН, 2024