RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 9, страницы 1997–2002 (Mi qe11909)

Экспериментальное исследование кинетики образования возбужденных молекул Xe2 в ОКГ на сжатом ксеноне

М. Д. Баранов, С. Г. Бурдин, В. А. Данилычев, О. М. Керимов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР

Аннотация: Получены температурные зависимости констант скоростей образования возбужденных димеров ксенона и тушения возбуждения. Экспериментальные значения константы скорости трехчастичного процесса образования возбужденных димеров хорошо описываются аналитической зависимостью ln (β/β0) = 0,39·105T–2+0,66 (β0 = 10–32 см6 с–1, T измерялась в K). Понижение температуры газа от 295 до 149 K приводит к уменьшению константы скорости тушения возбужденных атомов ксенона от α = (1,1 ± 0,2)·10–13 см3·с–1 до α~10–14 см3 с–1. Измеренное излучательное время жизни 3,1u+ состояния молекулы ксенона τ = 30 ± 10 нс.

УДК: 621.378.33

PACS: 42.60.C, 82.20.P

Поступила в редакцию: 26.02.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:9, 1084–1087


© МИАН, 2024