Спектральные и мощностные характеристики лазеров с электронным возбуждением на антимониде галлия

Исследованы спектральные и мощностные характеристики лазеров на антимониде галлия при электронном возбуждении в диапазоне 80–300 K в зависимости от уровня возбуждения, концентрации и типа легирующей примеси. Найдены оптимальные исходные параметры кристаллов для получения эффективной генерации. Обнаружены не наблюдавшиеся ранее особенности ватт-амперных характеристик лазеров, проявляющиеся в наличии нескольких участков резкого изменения дифференциальной квантовой эффективности с увеличением плотности тока накачки. Проведена интерпретация полос в спектрах рекомбинационного излучения GaSb. Показана взаимосвязь обнаруженных особенностей ватт-амперных характеристик лазеров с особенностями зонной структуры и механизма генерации в GaSb.