RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 10, страницы 2238–2242 (Mi qe11935)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазерные диоды на основе PbSnTe на область 5–15 мкм

А. Д. Бритов, С. М. Караваев, Г. А. Калюжная, Ю. И. Горина, А. Л. Курбатов, К. В. Киселева, П. М. Старик


Аннотация: Используя твердые растворы PbSnTe разного состава и возможности газофазной эпитаксии, позволяющей наносить более широкозонный слой на подложки твердого раствора PbSnTe различного состава, мы получили набор диодов, изменение температуры которых позволило получить лазерное излучение с любой длиной волны в диапазоне 5–15 мкм.

УДК: 621.375.826

PACS: 78.45.+h, 81.20.Dt

Поступила в редакцию: 18.03.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:10, 1217–1219


© МИАН, 2024