Ю. Вайткус, Ю. Вищакас, К. Ярашюнас, “Свойства динамических и импульсных голограмм на полупроводниковых материалах”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 2068

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Свойства динамических и импульсных голограмм на полупроводниковых материалах

Ю. Вайткус, Ю. Вищакас, К. Ярашюнас

Вильнюсский государственный университет им. В. Капсукаса

Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследований голограмм на полупроводниковых материалах, характеризуемых различными механизмами записи: на скоплениях свободных носителей в монокристаллах Si и CdSe на центрах окраски в кристаллах CaF₂ (La) и на изменениях структуры в слоях As₂Se₃.

УДК: 772.99+621.315.592

PACS: 42.40.F, 42.40.H

Поступила в редакцию: 17.01.1975