Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР, Новосибирск
Аннотация:
Описана методика автоматического контроля локальных фазовых изменений регистрирующих материалов, предназначенных для записи оптической информации. Использование двухчастотного Не–Ne-лазера (λ = 0,63 мкм) позволило повысить точность измерения и проводить исследование поведения показателя преломления материалов в процессе экспонирования. С помощью предложенной методики были проведены исследования фотоструктурных превращений в стеклообразных халькогенидных полупроводниках.