RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 11, страницы 2337–2343 (Mi qe12002)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Порог генерации в вязких активных средах при наличии наведенного поглощения на длине волны генерации

Г. А. Абакумов, Л. Т. Макарова, А. П. Симонов

Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Москва

Аннотация: Проведен расчет порога генерации в растворах органических красителей в зависимости от величины коэффициента диффузии, интенсивности наведенного синглет-синглетного или триплет-триплетного поглощения на длине волны генерации, крутизны фронта импульса-накачки и других параметров. Показано, что в случае, когда дипольный момент флуоресцентного перехода перпендикулярен дипольным моментам переходов наведенного синглет-синглетного или триплет-триплетного поглощения, порог генерации в вязких растворах значительно ниже, чем в текучих. Предельная величина отношения поперечного сечения синглет-синглетного поглощения к сечению вынужденного испускания, при котором молекула становится негенерирующей, возрастает от 1 до 3 при изменении коэффициента вращательной диффузии от ∞ до 0.

УДК: 621.378.8:535.35

PACS: 78.45.+h, 32.20.Jx, 42.60.Eb

Поступила в редакцию: 15.09.1975
Исправленный вариант: 03.03.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:11, 1272–1275


© МИАН, 2024