К теории естественной ширины линии полупроводникового лазера

Исследуется зависимость ширины линии полупроводникового лазера в одномодовом режиме от интенсивности лазерного излучения. Ширина линии найдена с учетом эффекта насыщения. Показано, что эффект насыщения приводит к дополнительному уширению линии лазера. В слабом поле, когда параметр насыщения η мал, произведение ширины линии и числа фотонов растет пропорционально интенсивности излучения. В сильном поле (η >> 1), указанное произведение становится постоянным, но значительно большим по величине по сравнению с произведением ширины линии и числа фотонов в слабом поле.