RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 4, страницы 358–360 (Mi qe1205)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Влияние поляризации накачки на характеристики излучения кольцевого Nd:YAG-чип-лазера

Р. В. Гойдинa, В. С. Кичукb, Н. В. Кравцовb, Г. Д. Лаптевa, Е.Г. Ларионцевb, В. В. Фирсовb

a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Впервые экспериментально обнаружена зависимость порога генерации, мощности, спектра и азимута поляризации излучения кольцевого Nd:YAG -чип-лазера от азимута линейной поляризации излучения накачки. Предпринята попытка качественного объяснения зависимости порога генерации кольцевого чип-лазера от азимута поляризации излучения накачки.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 11.12.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:4, 347–349

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024